MRF7S35015HSR3
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PRODUCT DOCUMENTATION
Refer to the following documents to aid your design process.
Application Notes
?
AN1955: Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers
Engineering Bulletins
?
EB212: Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices
REVISION HISTORY
The following table summarizes revisions to this document.
Revision
Date
Description
0
June 2008
?
Initial Release of Data Sheet
1
Aug. 2008
?
Added p. 1 of Case 465J--02 Mechanical Outline drawing, p. 9
2
Apr. 2011
?
Fig. 1, Test Circuit Schematic, Z--list, changed Z7 from 0.084″
x0.73″
Microstrip to 0.322″
x 0.073″
Microstrip and moved footnote reference from Z2 and Z3 to Z15 and Z17, p. 3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
MRF7S35120HSR5
MOSFET RF N-CH 120W NI-780S
MRF7S38010HSR5
MOSFET RF N-CH 2W 30V NI-400S
MRF7S38040HSR5
MOSFET RF N-CH 8W 30V NI-400S
MRF7S38075HSR5
MOSFET RF N-CH 12W 30V NI-780S
MRF8P18265HSR6
FET RF N-CH 1840MHZ 30V NI1230S8
MRF8P20100HSR3
FET RF N-CH 2025MHZ 28V NI780H-4
MRF8P20140WHSR3
FET RF LDMOS 28V 500MA NI780S-4
MRF8P20161HSR3
IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S
相关代理商/技术参数
MRF7S35120HSR3
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 120W PULSED RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S35120HSR5
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 120W PULSED RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S38010H
制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF7S38010HR3
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 2W 30V NI400 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S38010HR5
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 2W 30V NI400 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S38010HSR3
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 2W 30V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S38010HSR5
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 2W 30V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S38040HR3
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 3600MHZ 8W 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray